N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2.7A 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：46mΩ@10V,2.7A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA N 沟道逻辑电平 PowerTrench MOSFET 30V，2.7A，46mΩ 此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻
FDN359BN on
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FDN359BN 安森美 场效应管 原装正品
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